Транзистор AP55T10GH-HF
AP55T10GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 56 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0165 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 63 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 320 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AP55T10GH-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB412L |
SMD |
N |
150 |
100 |
25 |
3.8 |
60 |
0.0155 |
45 |
16 |
260 |
175 |
TO-263 |
| AOT412 |
PTH |
N |
150 |
100 |
25 |
3.8 |
60 |
0.0158 |
45 |
16 |
260 |
175 |
TO-220 |
| AP55T10GP-HF |
PTH |
N |
125 |
100 |
20 |
- |
56 |
0.0165 |
63 |
35 |
320 |
175 |
TO-220 |
| BUK7Y15-100E |
SMD |
N |
195 |
100 |
20 |
4 |
68 |
0.015 |
54.5 |
21 |
283 |
175 |
LFPAK56 |
| IRFB4510PBF |
PTH |
N |
140 |
100 |
20 |
4 |
62 |
0.0135 |
58 |
32 |
220 |
175 |
TO-220AB |
| IRFS4510PBF |
SMD |
N |
140 |
100 |
20 |
4 |
61 |
0.0139 |
58 |
32 |
220 |
175 |
TO-263 |
| IRFSL4510PBF |
PTH |
N |
140 |
100 |
20 |
4 |
61 |
0.0139 |
58 |
32 |
220 |
175 |
TO-262 |
| MTE010N10E3 |
PTH |
N |
150 |
100 |
20 |
- |
70 |
0.0096 |
48 |
12 |
250 |
175 |
TO-220AB |