Транзистор AP5600N

AP5600N - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.38 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.1 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 37 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP5600N можно заменить на:

Нет элементов для замены