Транзистор AP5N2K2EN1

AP5N2K2EN1 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-723

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 10 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP5N2K2EN1 можно заменить на:

Нет элементов для замены