Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60AN750I

AP60AN750I - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP60AN750I можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOTF11S65 PTH N 39 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220F
AOTF11S65L PTH N 39 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220F
AOTF15S65 PTH N 50 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-220F
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AP60AN750IN PTH N 36.7 600 30 4 10 0.75 - 24 72 150 TO-220FNL
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHH11N60E SMD N 114 600 30 4 11 0.339 31 21 56 150 PowerPAK8X8
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB