Транзистор AP60L02GJ
AP60L02GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 62.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 75 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 415 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP60L02GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4146 |
SMD |
N |
62 |
30 |
20 |
3 |
55 |
0.0056 |
- |
26 |
375 |
175 |
TO-252 |
| AOD4156 |
SMD |
N |
62 |
30 |
20 |
3 |
55 |
0.0056 |
- |
26 |
375 |
175 |
TO-252 |
| AOI4146 |
PTH |
N |
62 |
30 |
20 |
3 |
55 |
0.0056 |
- |
26 |
375 |
175 |
TO-251A |
| CS100N03B4 |
SMD |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.0053 |
68 |
65 |
350 |
175 |
TO-252 |
| CS110N03A3 |
PTH |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
110 |
0.0053 |
68 |
65 |
350 |
175 |
TO-251 |
| HY110N06T |
PTH |
N |
125 |
55 |
20 |
3 |
110 |
0.0055 |
- |
12.6 |
385 |
175 |
TO-220AB |
| QM3016AD |
SMD |
N |
62.5 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.004 |
23.4 |
9.6 |
380 |
175 |
TO-252 |
| RU3070L |
SMD |
N |
71 |
30 |
20 |
3 |
70 |
0.0043 |
- |
12 |
370 |
175 |
TO-252 |
| SUD50N03-09P |
SMD |
N |
65.2 |
30 |
20 |
3 |
63 |
0.0095 |
11 |
15 |
410 |
175 |
TO-252 |
| SUM70N04-07L |
SMD |
N |
100 |
40 |
20 |
3 |
70 |
0.0074 |
50 |
20 |
320 |
175 |
TO-263 |