Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60N03GP

AP60N03GP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор AP60N03GP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOD4146 SMD N 62 30 20 3 55 0.0056 - 26 375 175 TO-252
AOD4156 SMD N 62 30 20 3 55 0.0056 - 26 375 175 TO-252
AOI4146 PTH N 62 30 20 3 55 0.0056 - 26 375 175 TO-251A
AP60N03GS SMD N 62.5 30 20 3 55 0.0135 - 81 440 150 TO-263
CS100N03B4 SMD N 100 30 20 3 100 0.0053 68 65 350 175 TO-252
CS110N03A3 PTH N 100 30 20 3 110 0.0053 68 65 350 175 TO-251
FDB6670AS SMD N 62.5 30 20 3 62 0.0085 - 12 440 150 TO-263AB
FDD6670AS SMD N 70 30 20 3 76 0.008 - 12 440 150 TO-252
HY110N06T PTH N 125 55 20 3 110 0.0055 - 12.6 385 175 TO-220AB
QM3016AD SMD N 62.5 30 20 3 100 0.004 23.4 9.6 380 175 TO-252
RU3070L SMD N 71 30 20 3 70 0.0043 - 12 370 175 TO-252
SUD50N03-09P SMD N 65.2 30 20 3 63 0.0095 11 15 410 175 TO-252
SUM70N03-09CP SMD N 93 30 20 3 70 0.0095 31 80 410 175 TO-263
SUM70N04-07L SMD N 100 40 20 3 70 0.0074 50 20 320 175 TO-263
SUM75N06-09L SMD N 125 60 20 3 90 0.0093 47 30 430 175 TO-263