Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60T10GS-HF

AP60T10GS-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 167 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 67 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 68 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP60T10GS-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP60T10GP-HF	PTH	N	167	100	20	5	67	0.018	-	68	400	150	TO-220
IRFB4321GPBF	PTH	N	330	150	30	5	83	0.015	71	60	390	175	TO-220AB
IRFB4321PBF	PTH	N	350	150	30	5	85	0.015	71	60	390	175	TO-220AB
IRFP4321PBF	PTH	N	310	150	30	5	78	0.0155	110	60	390	175	TO-247AC
IRFS4321-7PPBF	SMD	N	350	150	30	5	86	0.0147	71	60	390	175	TO-263-CA7
IRFS4321PBF	SMD	N	350	150	30	5	85	0.015	71	60	390	175	TO-263
IRFSL4321PBF	PTH	N	330	150	30	5	83	0.015	71	60	390	175	TO-262
STE139N65M5	Модуль	N	672	650	25	5	130	0.017	363	56	365	150	ISOTOP
STY139N65M5	PTH	N	625	650	25	5	130	0.017	363	56	365	150	Max247