Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60WN1K2J

AP60WN1K2J - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89.2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP60WN1K2J можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB11S65	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOB11S65L	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOT11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOT11S65L	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOW11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-262
AP60WN1K2H	SMD	N	89.2	600	30	4	8	1.2	-	20	50	150	TO-252