Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60WN1K5H

AP60WN1K5H - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.55 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 24 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 44 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP60WN1K5H можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB11S65	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOB11S65L	SMD	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-263
AOB7S65	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOB7S65L	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOD7S65	SMD	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-252
AOI7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251A
AOT11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOT11S65L	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-220
AOU7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251
AOW11S65	PTH	N	198	650	30	4	11	0.399	-	20	42	150	TO-262
AOW7S65	PTH	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-262
AP60WN1K5J	PTH	N	83.3	600	30	4	6	1.55	-	24	44	150	TO-251
AP65WN1K5S	SMD	N	83.3	650	30	4	6	1.5	-	22	44	150	TO-263