Транзистор AP60WN2K1H
AP60WN2K1H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.07 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 19 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 37 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP60WN2K1H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB7S65 |
SMD |
N |
104 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-263 |
| AOB7S65L |
SMD |
N |
104 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-263 |
| AOD7S65 |
SMD |
N |
89 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-252 |
| AOI7S65 |
PTH |
N |
89 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-251A |
| AOU7S65 |
PTH |
N |
89 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-251 |
| AOW7S65 |
PTH |
N |
104 |
650 |
30 |
4 |
7 |
0.65 |
- |
14 |
30 |
150 |
TO-262 |
| AP60WN2K1J |
PTH |
N |
50 |
600 |
30 |
4 |
5 |
2.07 |
- |
19 |
37 |
150 |
TO-251 |
| SIHD6N62E |
SMD |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-252 |
| SIHU6N62E |
PTH |
N |
78 |
620 |
30 |
4 |
6 |
0.9 |
17 |
10 |
36 |
150 |
TO-251 |