Справочник электронных компонентов

Транзистор AP60WN2K3I

AP60WN2K3I - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31.2 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.37 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP60WN2K3I можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB7S65	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOB7S65L	SMD	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-263
AOD7S65	SMD	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-252
AOI7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251A
AOTF7S65	PTH	N	35	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-220F
AOU7S65	PTH	N	89	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-251
AOW7S65	PTH	N	104	650	30	4	7	0.65	-	14	30	150	TO-262
AP60WN2K3H	SMD	N	54.3	600	30	4	4	2.37	-	17	35	150	TO-252
AP65WN2K3H	SMD	N	62.5	650	30	4	4	2.3	-	17	35	150	TO-252
AP65WN2K3I	PTH	N	31.2	650	30	4	4	2.29	-	17	35	150	TO-220F