Транзистор AP65SL099DR
AP65SL099DR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 277.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 38 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.099 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 39 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP65SL099DR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP65SL099DWL |
PTH |
N |
277.8 |
650 |
20 |
5 |
38 |
0.099 |
- |
39 |
120 |
150 |
TO-247 |