Справочник электронных компонентов

Транзистор AP65SL130DP

AP65SL130DP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 178 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 26.2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP65SL130DP можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
STB34N65M5	SMD	N	190	650	25	5	28	0.11	62.5	8.7	75	150	D2PAK
STB38N65M5	SMD	N	190	710	25	5	30	0.095	71	9	74	150	D2PAK
STB45N65M5	SMD	N	210	650	25	5	35	0.078	82	11	82	150	D2PAK
STP34N65M5	PTH	N	190	650	25	5	28	0.11	62.5	8.7	75	150	TO-220
STP38N65M5	PTH	N	190	650	25	5	30	0.095	71	9	74	150	TO-220
STP45N65M5	PTH	N	210	650	25	5	35	0.078	82	11	82	150	TO-220
STW34N65M5	PTH	N	190	650	25	5	28	0.11	62.5	8.7	75	150	TO-247
STW38N65M5	PTH	N	190	650	25	5	30	0.095	71	9	74	150	TO-247
STW45N65M5	PTH	N	210	650	25	5	35	0.078	82	11	82	150	TO-247
STWA45N65M5	PTH	N	210	650	25	5	35	0.078	82	11	82	150	TO-247