Справочник электронных компонентов

Транзистор AP65WN470I

AP65WN470I - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 41.6 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.47 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 57 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP65WN470I можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOB15S65	SMD	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-263
AOB15S65L	SMD	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-263
AOB25S65	SMD	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-263
AOB25S65L	SMD	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-263
AOT25S65	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-220
AOT25S65L	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-220
AOTF15S65	PTH	N	50	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-220F
AOTF25S65	PTH	N	50	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-220F
AOW15S65	PTH	N	208	650	30	4	15	0.29	-	24	58	150	TO-262
AOW25S65	PTH	N	357	650	30	4	25	0.19	-	30	87	150	TO-262
SIHB22N65E	SMD	N	227	650	30	4	22	0.18	73	33	118	150	TO-263
SIHG22N65E	PTH	N	227	650	30	4	22	0.18	73	33	118	150	TO-247AC
SIHP22N65E	PTH	N	227	650	30	4	22	0.18	73	33	118	150	TO-220AB