Справочник электронных компонентов

Транзистор AP6679BGH

AP6679BGH - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 54.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 63 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 67 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 520 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP6679BGH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP3P9R0H	SMD	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	60	500	-	TO-252
AP3P9R0J	PTH	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	60	500	-	TO-251
AP3P9R0JB	PTH	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	60	500	-	TO-251S
AP3P9R0P	PTH	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	60	500	-	TO-220
AP6679BGJ	PTH	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	67	520	-	TO-251
AP6679BGJ-HF	PTH	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	67	520	150	TO-251
AP6679BGJB	PTH	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	67	520	-	TO-251S
AP6679BGP	PTH	P	54.3	30	20	3	63	0.009	-	67	520	150	TO-220