Транзистор AP6679BGM
AP6679BGM - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 520 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP6679BGM можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP3P9R0M |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
13.5 |
0.009 |
- |
11 |
500 |
- |
SO-8 |