Справочник электронных компонентов

Транзистор AP6679GH-HF

AP6679GH-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 42 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 960 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP6679GH-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP6679GJ-HF	PTH	P	89	30	20	-	75	0.009	42	35	960	150	TO-251
AP6679GP	PTH	P	89	30	25	-	75	0.009	42	35	960	150	TO-220
AP6679GR	PTH	P	89	30	25	-	75	0.009	42	35	960	150	TO-262