Справочник электронных компонентов

Транзистор AP6679GJ

AP6679GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 960 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP6679GJ можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP6679GH	SMD	P	89	30	25	3	75	0.009	-	35	960	150	TO-252
AP6679GP-HF	PTH	P	89	30	25	3	75	0.009	-	35	960	150	TO-220
AP6679GS	SMD	P	89	30	25	3	75	0.009	-	35	960	150	TO-263
AP6679GS-HF	SMD	P	89	30	25	3	75	0.009	-	35	960	150	TO-263