Транзистор AP6679GS-A
AP6679GS-A - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 65 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0135 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 960 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6679GS-A можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP6679GP-A |
PTH |
P |
89 |
40 |
25 |
2.5 |
65 |
0.0135 |
- |
40 |
960 |
150 |
TO-220 |