Транзистор AP6680AGM-HF
AP6680AGM-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 220 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6680AGM-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4264 |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.5 |
12 |
0.011 |
- |
3.5 |
177 |
150 |
SO-8 |
| AO4476A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0077 |
- |
2 |
180 |
150 |
SO-8 |
| AON7400A |
SMD |
N |
25 |
30 |
20 |
2.5 |
40 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7466 |
SMD |
N |
25 |
30 |
25 |
2.5 |
30 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7702B |
SMD |
N |
23 |
30 |
20 |
2.5 |
20 |
0.0095 |
- |
3 |
135 |
150 |
DFN3X3 |
| AP6680AGM |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
2.5 |
12 |
0.011 |
- |
6 |
220 |
150 |
SO-8 |
| RS1E150GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSOP8 |
| RS1G150MN |
SMD |
N |
3 |
40 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0106 |
15 |
5.7 |
205 |
150 |
HSOP8 |