Транзистор AP6680BGM-HF
AP6680BGM-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 165 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6680BGM-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM4404N |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
16 |
0.0085 |
10 |
6 |
159 |
150 |
SO-8 |
| AM7402N |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
20 |
0.0085 |
10 |
6 |
156 |
150 |
DFN5X6-8L |
| CSD17578Q3A |
SMD |
N |
3.2 |
30 |
20 |
1.9 |
14 |
0.0073 |
0.0073 |
6 |
134 |
150 |
SON3.3X3.3 |
| RJK03E2DNS |
SMD |
N |
12.5 |
30 |
20 |
- |
16 |
0.009 |
- |
3.9 |
157 |
150 |
HWSON8 |
| RS1E150GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSOP8 |