Транзистор AP6680BGYT-HF
AP6680BGYT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK3X3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.57 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 210 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6680BGYT-HF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7402N |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
1 |
20 |
0.0085 |
10 |
6 |
156 |
150 |
DFN5X6-8L |
| AON6414A |
SMD |
N |
31 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.008 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6414AL |
SMD |
N |
31 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.008 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6520 |
SMD |
N |
31 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0085 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6536 |
SMD |
N |
35.5 |
30 |
20 |
2.5 |
55 |
0.007 |
- |
3 |
210 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7400A |
SMD |
N |
25 |
30 |
20 |
2.5 |
40 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7466 |
SMD |
N |
25 |
30 |
25 |
2.5 |
30 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| MTB12N03J3 |
SMD |
N |
35 |
30 |
20 |
- |
40 |
0.0085 |
- |
6 |
123 |
150 |
TO-252 |
| RJK0396DPA |
SMD |
N |
28 |
30 |
20 |
- |
30 |
0.009 |
- |
4.4 |
185 |
150 |
WPAK |
| RJK03E2DNS |
SMD |
N |
12.5 |
30 |
20 |
- |
16 |
0.009 |
- |
3.9 |
157 |
150 |
HWSON8 |