Транзистор AP6683GYT-HF

AP6683GYT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PMPAK3X3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.13 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 14.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.01 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 37 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 430 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP6683GYT-HF можно заменить на:

Нет элементов для замены