Транзистор AP6A100M
AP6A100M - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP6A100M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP6N090K |
SMD |
N |
2.78 |
60 |
20 |
3 |
4.1 |
0.09 |
- |
7 |
35 |
- |
SOT-223 |
| AP6N090M |
SMD |
N |
2.5 |
60 |
20 |
3 |
4 |
0.09 |
- |
7 |
35 |
- |
SO-8 |
| AP6N090Y |
SMD |
N |
2 |
60 |
20 |
3 |
3.5 |
0.09 |
- |
7 |
35 |
150 |
SOT-26 |