Транзистор AP6N021M

AP6N021M - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SO-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.021 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP6N021M можно заменить на:

Нет элементов для замены