Транзистор AP6N100JV
AP6N100JV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251VS
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 12.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 32 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6N100JV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP6N100H |
SMD |
N |
12.5 |
60 |
20 |
3 |
7.5 |
0.1 |
- |
11 |
32 |
150 |
TO-252 |
| AP6N100J |
PTH |
N |
12.5 |
60 |
20 |
3 |
7.5 |
0.1 |
- |
11 |
32 |
150 |
TO-251 |