Транзистор AP6N1R7CDT

AP6N1R7CDT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PDFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 44.5 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0017 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 85 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 4550 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP6N1R7CDT можно заменить на:

Нет элементов для замены