Транзистор AP6N3R1LH
AP6N3R1LH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 104 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 100 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0031 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2550 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6N3R1LH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB270L |
SMD |
N |
500 |
75 |
20 |
3 |
140 |
0.0028 |
153 |
24 |
1560 |
175 |
TO-263 |
| AOT270L |
PTH |
N |
500 |
75 |
20 |
3 |
140 |
0.0026 |
153 |
24 |
1560 |
175 |
TO-220 |
| NVB5860NL |
SMD |
N |
283 |
60 |
20 |
3 |
220 |
0.003 |
220 |
58 |
1127 |
175 |
D2PAK |