Транзистор AP6N3R4CMT
AP6N3R4CMT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 28.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0034 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2220 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6N3R4CMT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP6N3R4CMT-L |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
4 |
28.5 |
0.0034 |
- |
60 |
2220 |
150 |
PMPAK5X6L |
| TK100A08N1 |
PTH |
N |
45 |
80 |
20 |
4 |
100 |
0.0032 |
130 |
26 |
2100 |
150 |
TO-220SIS |