Транзистор AP6N3R8H
AP6N3R8H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 155 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0038 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 135 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2480 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6N3R8H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOB466L |
SMD |
N |
333 |
60 |
25 |
5 |
180 |
0.0036 |
108 |
29 |
1076 |
175 |
TO-263 |
| AP9992GR |
PTH |
N |
166 |
60 |
20 |
5 |
165 |
0.0035 |
- |
115 |
930 |
150 |
TO-262 |