Транзистор AP6N8R2ALH
AP6N8R2ALH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0082 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1070 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6N8R2ALH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDMC86570LET60 |
SMD |
N |
65 |
60 |
20 |
3 |
87 |
0.0043 |
- |
6.2 |
821 |
175 |
Power33 |
| SUD50N06-07L |
SMD |
N |
136 |
60 |
20 |
3 |
96 |
0.0074 |
96 |
13 |
450 |
175 |
TO-252 |