Транзистор AP6N8R2LMT
AP6N8R2LMT - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PMPAK5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18.8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0082 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1330 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP6N8R2LMT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP6N6R5LMT |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
3 |
21.1 |
0.0065 |
- |
36 |
1330 |
150 |
PMPAK5X6 |
| AP6N6R5LMT-L |
SMD |
N |
5 |
60 |
20 |
3 |
21.1 |
0.0065 |
- |
36 |
1330 |
150 |
PMPAK5X6L |
| SIR870ADP |
SMD |
N |
6.25 |
100 |
20 |
3 |
23.3 |
0.0066 |
53.5 |
14 |
719 |
150 |
SO-8 |
| SIR880ADP |
SMD |
N |
5.4 |
80 |
20 |
3 |
20.7 |
0.0063 |
47.5 |
10 |
1200 |
150 |
SO-8 |