Транзистор AP70T03GJ
AP70T03GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 53 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 245 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP70T03GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP70T03AH |
SMD |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
- |
105 |
245 |
175 |
TO-252 |
| AP70T03AJ |
PTH |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
- |
105 |
245 |
175 |
TO-251 |
| AP70T03AS |
SMD |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
- |
105 |
245 |
175 |
TO-263 |
| AP70T03GH |
SMD |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
- |
105 |
245 |
175 |
TO-252 |
| AP70T03GH-HF |
SMD |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
- |
105 |
245 |
175 |
TO-252 |
| AP70T03GJB |
PTH |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
- |
105 |
245 |
- |
TO-251S |
| MDE1752RH |
SMD |
N |
60 |
40 |
20 |
3 |
66 |
0.008 |
- |
21 |
243 |
150 |
TO-263AB |
| SSM70T03GH |
SMD |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
16.5 |
105 |
245 |
175 |
TO-252 |
| SSM70T03GJ |
PTH |
N |
53 |
30 |
20 |
3 |
60 |
0.009 |
16.5 |
105 |
245 |
175 |
TO-251 |