Транзистор AP70WN2K8H

AP70WN2K8H - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-252

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.8 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 34 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP70WN2K8H можно заменить на:

Нет элементов для замены