Транзистор AP72T02GH
AP72T02GH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 62 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 80 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP72T02GH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| MDE1752RH |
SMD |
N |
60 |
40 |
20 |
3 |
66 |
0.008 |
- |
21 |
243 |
150 |
TO-263AB |
| SSM72T02GH |
SMD |
N |
60 |
25 |
20 |
3 |
62 |
0.009 |
13 |
80 |
250 |
175 |
TO-252 |