Транзистор AP72T03GH
AP72T03GH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 60 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 62 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 82 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор AP72T03GH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP72T03GJ |
PTH |
N |
60 |
30 |
20 |
- |
62 |
0.009 |
- |
82 |
250 |
175 |
TO-251 |
| AP72T03GJ-HF |
PTH |
N |
60 |
30 |
20 |
3 |
62 |
0.009 |
- |
82 |
250 |
175 |
TO-251 |
| HY1607P |
PTH |
N |
160 |
68 |
25 |
4 |
70 |
0.007 |
- |
13 |
190 |
175 |
TO-220 |
| MTB06N03E3 |
PTH |
N |
94 |
30 |
20 |
- |
102 |
0.0043 |
53 |
16 |
241 |
175 |
TO-220AB |
| STP100N8F6 |
PTH |
N |
176 |
80 |
20 |
4 |
100 |
0.009 |
100 |
46 |
244 |
175 |
TO-220 |