Транзистор AP75T10BGP

AP75T10BGP - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-220

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 138 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.012 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 17.5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 550 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP75T10BGP можно заменить на:

Нет элементов для замены