AP80N30W - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 208 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 36 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.066 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 117 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 90 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 525 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP80N30W можно заменить на:
Нет элементов для замены