Транзистор AP80T10GR
AP80T10GR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 166 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 550 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP80T10GR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP80T10GP |
PTH |
N |
166 |
100 |
20 |
5 |
80 |
0.0095 |
- |
58 |
550 |
- |
TO-220 |