Справочник электронных компонентов

Транзистор AP83T03AGMT-HF

AP83T03AGMT-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: PMPAK5X6

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 71 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP83T03AGMT-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AON6292	SMD	N	156	100	20	3.4	85	0.006	-	4	327	150	DFN5X6
AP0504GMT-HF	SMD	N	56.8	40	20	-	75	0.0055	-	7	340	150	PMPAK5X6
AP83T03GMT-HF	SMD	N	50	30	20	-	72	0.006	-	7	360	150	PMPAK5X6
BUK7E8R3-40E	PTH	N	96	40	20	4	75	0.0058	24	9	260	175	I2PAK
CEB3060	SMD	N	125	30	20	-	105	0.006	-	6	320	175	TO-263
CEP3060	PTH	N	125	30	20	-	105	0.006	-	6	320	175	TO-220
STD80N4F6	SMD	N	70	40	20	4	80	0.006	36	7.6	335	175	DPAK