Справочник электронных компонентов

Транзистор AP85T08GS-HF

AP85T08GS-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 138 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 63 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 670 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP85T08GS-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AM90N08-08P	PTH	N	300	80	20	1	90	0.011	58	45	449	175	TO-220AB
AM90N08-10B	SMD	N	300	80	20	1	90	0.011	60	45	471	150	TO-263
AP85T08GP-HF	PTH	N	138	80	20	-	75	0.013	63	100	670	150	TO-220
BUK769R6-80E	SMD	N	182	80	20	4	75	0.0096	59.8	32.7	356	175	D2PAK
BUK7Y7R8-80E	SMD	N	238	80	20	4	100	0.0078	63.3	25	395	175	LFPAK56
PSMN6R5-80BS	SMD	N	210	80	20	4	100	0.0069	61	24	410	175	D2PAK
PSMN8R7-80BS	SMD	N	170	80	20	4	90	0.0087	44	26	296	175	D2PAK
SSM85T08GP	PTH	N	138	80	20	3	75	0.013	63	100	670	150	TO-220
STP130N10F3	PTH	N	250	100	20	4	120	0.0096	57	38	373	175	TO-220
TK42E12N1	PTH	N	140	120	20	4	88	0.0094	52	18	490	150	TO-220