Транзистор AP86T02GH
AP86T02GH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 75 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 105 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 490 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор AP86T02GH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP86T02GJ |
PTH |
N |
75 |
25 |
20 |
3 |
75 |
0.006 |
- |
105 |
490 |
- |
TO-251 |
| AP86T02GJB |
PTH |
N |
75 |
25 |
20 |
3 |
75 |
0.006 |
- |
105 |
490 |
- |
TO-251S |
| CS100N03B4 |
SMD |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
100 |
0.0053 |
68 |
65 |
350 |
175 |
TO-252 |
| CS110N03A3 |
PTH |
N |
100 |
30 |
20 |
3 |
110 |
0.0053 |
68 |
65 |
350 |
175 |
TO-251 |
| HY110N06T |
PTH |
N |
125 |
55 |
20 |
3 |
110 |
0.0055 |
- |
12.6 |
385 |
175 |
TO-220AB |
| RU30120L |
SMD |
N |
125 |
30 |
20 |
3 |
120 |
0.004 |
- |
106 |
480 |
175 |
TO-252 |
| RU30120S |
SMD |
N |
150 |
30 |
20 |
3 |
120 |
0.004 |
- |
106 |
480 |
175 |
TO-263 |
| RU3089L |
SMD |
N |
96 |
30 |
20 |
3 |
89 |
0.005 |
- |
90 |
370 |
175 |
TO-252 |