Транзистор AP9561GJ

AP9561GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-251

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 54.3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP9561GJ можно заменить на:

Нет элементов для замены