Транзистор AP9565AGJ
AP9565AGJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 18.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.042 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 34 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 110 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP9565AGJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP9565AGH |
SMD |
P |
25 |
40 |
20 |
3 |
18.5 |
0.042 |
- |
34 |
110 |
150 |
TO-252 |
| AP9565AGH-HF |
SMD |
P |
25 |
40 |
20 |
3 |
18.5 |
0.042 |
- |
34 |
110 |
150 |
TO-252 |
| AP9565AGJ-HF |
PTH |
P |
25 |
40 |
20 |
3 |
18.5 |
0.042 |
- |
34 |
110 |
150 |
TO-251 |
| MTB032P06V8 |
SMD |
P |
36 |
60 |
25 |
- |
25 |
0.029 |
- |
12 |
109 |
150 |
DFN3X3 |
| QM4013D |
SMD |
P |
31.3 |
40 |
20 |
2.5 |
23 |
0.04 |
9 |
12.8 |
108 |
150 |
TO-252 |