Справочник электронных компонентов

Транзистор AP9575AGS-HF

AP9575AGS-HF - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 36 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 17 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.064 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP9575AGS-HF можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP9575AGH-HF	SMD	P	36	60	30	-	17	0.064	35	23	160	150	TO-252
AP9575AGJ-HF	PTH	P	36	60	30	-	17	0.064	35	23	160	150	TO-251
SQD19P06-60L	SMD	P	46	60	20	2.5	20	0.055	27	9	160	175	TO-252
SUD19P06-60	SMD	P	38.5	60	20	3	18.3	0.06	26	9	130	150	TO-252
SUD19P06-60L	SMD	P	46	60	20	3	19	0.06	26	9	130	175	TO-252