Транзистор AP9579GJ

AP9579GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
• Корпус: TO-251

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89.3 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 45 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 375 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор AP9579GJ можно заменить на:

Нет элементов для замены