Транзистор AP9585GJ
AP9585GJ - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-251
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.18 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP9585GJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP9585GH |
SMD |
P |
44.6 |
80 |
25 |
- |
11.2 |
0.18 |
- |
15 |
140 |
150 |
TO-252 |