Транзистор AP98T03GS

AP98T03GS - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 200 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0028 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 71 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 78 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1210 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP98T03GS можно заменить на:

Нет элементов для замены