Транзистор AP9965GEH
AP9965GEH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 31.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 40 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 16 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 27 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.7 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 90 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор AP9965GEH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM40N04-20D |
SMD |
N |
50 |
40 |
20 |
1 |
39 |
0.022 |
8 |
5 |
76 |
150 |
TO-252 |
| AP9965GEJ |
PTH |
N |
31.25 |
40 |
16 |
- |
27 |
0.028 |
- |
6.7 |
90 |
150 |
TO-251 |
| MTB25N04J3 |
SMD |
N |
36 |
40 |
20 |
- |
29 |
0.02 |
- |
5 |
51 |
175 |
TO-252 |