Справочник электронных компонентов

Транзистор AP9972GH

AP9972GH - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 89.3 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 58 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 280 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор AP9972GH можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP9972GP	PTH	N	89	60	25	3	60	0.018	-	58	280	-	TO-220
AP9972GR	PTH	N	89	60	25	3	60	0.018	32	58	280	150	TO-262
AP9972GS	SMD	N	89	60	25	3	60	0.018	-	58	280	-	TO-263
AP9974AGH	SMD	N	104	60	20	3	68	0.012	-	43	260	-	TO-252
AP9974AGP	PTH	N	104	60	20	3	68	0.012	-	43	260	-	TO-220
SSM9972GS	SMD	N	89	60	25	3	60	0.018	32	58	280	150	TO-263